近年来，随着磁性隧道结（MTJ）存储器件的持续创新，磁性随机存储器（MRAM）在高可靠高性能MCU及SoC 中逐步实现应用，并将扮演越来越重要的角色。半导体头部代工厂如台积电（TSMC）、开云电子官方网站三星（Samsung）、格罗方德（Globalfoundries）等已纷纷推出eMRAM IP, 其早期客户主要来自于物联网、可穿戴及人工智能（AI）等领域，如今则已开始服务多家高可靠车规级MCU和SoC厂商。

　　近日，浙江驰拓科技有限公司（Hikstor Technology）研发团队展示了基于40nm CMOS 平台的4 Mb 高可靠高性能新型存储MRAM芯片。通过核心存储单元磁性隧道结（MTJ）材料、工艺、设计协同优化，其面向车规AEC-Q100 Grade1应用的存储芯片展示出优异的良率和可靠性。该MRAM芯片具有125度下10年以上数据保持能力，支持超过万亿次重复写入，工作温区-40 ~ 125度。驰拓科技团队还展示了其亚ppm级失效率的大容量阵列良率水平达到了 95%，这表明，通过布署常规的外围电路，驰拓科技工艺平台即可支撑高良率的高可靠MRAM芯片规模制造。